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隶属于芯派科技的西安功率器件测试应用中心根据自身和客户需求在2019年订购了一台国际知名品牌的微光显微及激光诱导检测设备！

半导体器件制造技术飞速发展，器件的特征尺寸不断下降，同时集成度不断提高。这些变化给器件的失效缺陷定位及失效分析带来了巨大的挑战。而微光显微技术（emmi）和激光诱导扫描显微技术作为一种高精度的缺陷定位技术，能够迅速准确地进行失效缺陷定位，因而在半导体器件的失效分析中得到了广泛的应用。

设备同时具备微光显微能力（emmi）和激光诱导扫描显微能力，可用于侦测各种半导体芯片由于内部的微观缺陷（例如静电损坏、氧化层缺陷、金属化布线不合理、闩锁效应等）造成的光子溢出或者激光扫描时的阻值变化，从而定位异常点的位置，方便确认缺陷原因并帮助后续改善。

微光显微及激光诱导检测设备

本设备的微光显微模块配备了探测波长范围900~1700nm的ingaas探测器，可灵敏地侦测到半导体芯片中电子空穴再结合和场加速载流子辐射所产生的光波。随着半导体芯片的电压和漏电流的降低，集成电路的缺陷点主要辐射近红外光，该ingaas探测器具有较高的探测效率的同时更容易探测近红外光。

常见探测器灵敏度特性比较图

使用emmi技术检测到样品的漏电位置

激光诱导扫描显微技术模块配置了波长1340nm的激光源及供应商公司专有的laser pulsing技术（简称tiva）。laser pulsing技术主要用于对检测信号进行放大，laser pulsing频率可达1-10khz。该模块通过外部激励产生信号，再通过激光逐点对芯片进行扫描，扫描过程中产生热导效应，会引起电路中电阻的变化，进而确定缺陷的位置。

使用tiva技术检测到样品的漏电位置

资源优势

● 配备不同倍率的显微镜，放大倍率有1x、2.5x、5x、20x、50x、100x，方便快速准确定位；

● 配备了8英寸耐高压探针台，最高承载耐压3000v，移动精度0.1um，可以适用于多种产品，例如集成电路和功率器件等的晶圆和单体；

● 配备国际知名品牌keithley的高精度电源，电压施加量程20mv-200v，电流施加量程10na-1a，电流精度10fa，同时留有外接窗口方便与不同测试平台进行连接，例如曲线示踪仪，信号源等；

● 具有laser marker定位模块，可以快速准确标记异常点位置方便后续进行分析；

● 具有量测定位网格线、特征点距离量测等辅助功能，方便识别或再次确认异常点。

     芯派科技失效分析利器-微光显微及激光诱导检测设备已准备就绪，持续接单中......