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器件规格书的几页英文数据看得眼花缭乱了吧，今天小编给大家逐条详细解读mosfet参数，老板再也不会担心我选器件的能力了，yeah！
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| 标识 | 参数 | 中文描述 | 应用系统关联参数解读 |
| vdss | drain to source voltage | 漏源电压标称值 | 参考bvdss |
| id | continuous drain current (@tc=25°c) | 漏源标称电流 | 漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在过载和电流保护的测试过程中会引起电流击穿的风险。 |
| continuous drain current (@tc=100°c) | |||
| idm | drain current pulsed | 漏源最大单脉冲电流 | 反应的是mosfet漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做过载和电流保护测试时，有电流击穿的风险。 |
| vgs | gate to source voltage | 栅漏电压 | 栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。mosfet的栅极也是mosfet最薄弱的地方。 |
| eas | single pulsed avalanche energy | 单脉冲雪崩能量 | mosfet漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在雷击浪涌、过载保护和耐压等测试项目时有失效的风险。 |
| ear | repetitive avalanche energy | 重复雪崩能量 | |
| dv/dt | peak diode recovery dv/dt | 漏源寄生二极管恢复电压上升速率 | （1）dv/dt反应的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。 |
| （2）对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰，较差的emi特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。 | |||
| pd | total power dissipation (@tc=25°c) | 最大耗散功率 | 该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环境，所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大，参考意义比较有限。 |
| derating factor above 25°c | |||
| tstg, tj | operating junction temperature & storage temperature | 结温及贮存温度 | 该参数表明mosfet的温度承受能力，越大越好 |
| tl | maximum lead temperature for soldering | 最大引线焊接温度 | 该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大，焊接时温度承受能力越好。 |
| purpose, 1/8 from case for 5 seconds. |
thermal characteristics
| 标识 | 参数 | 中文描述 | 应用系统关联参数解读 |
| rthjc | thermal resistance, junction to case | 芯片到封装的热阻抗 | 该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱，热阻越小散热能力越好。 |
| rthcs | thermal resistance, case to sink | 封装到散热片的热阻抗 | |
| rthja | thermal resistance, junction to ambient | 芯片到空气的热阻抗 |
| 标识 | 参数 | 中文描述 | 应用系统 关联参数解读 |
| is | continuous source current | 最大连续续流电流 | 漏源间可承受的最大持续电流，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中在测试过载和电流保护的过程中会引起电流击穿的风险。 |
| ism | pulsed source current | 最大单脉冲续流电流 | 反应的是mosfet漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做过载和电流保护测试时，有电流击穿的风险。 |
| vsd | diode forward voltage drop. | 二极管源漏电压 | 该参数如果过大，在桥式或llc系统中会导致系统损耗过大，温升过高。 |
| trr | reverse recovery time | 反向恢复时间 | 该参数如果过大，在桥式或llc系统中会导致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了电路直通的风险。 |
| qrr | reverse recovery charge | 反向恢复充电电量 | 该参数与充电时间成正比，一般越小越好。 |
electrical characteristic
( tc = 25°c unless otherwise specified )
| 标识 | 参数 | 中文描述 | 应用系统关联参数解读 |
| off characteristics | |||
| bvdss | drain to source breakdown voltage | 漏源击穿电压 | 漏源极最大承受电压，该参数为正温度系数。如果bvdss过小，应用到余量不足的系统板中会引起mosfet过压失效。 |
| δbvdss/ δtj | breakdown voltage temperature coefficient | 漏源击穿电压的温度系数 | 正温度系数，反应的是bvdss温度稳定性，其值越小，表明稳定性越好。 |
| idss | drain to source leakage current | 漏源漏电流 | 正温度系数，idss越大，mosfet关断时的静态损耗越大，会导致温升恶化。 |
| igss | gate to source leakage current, forward | 栅极驱动漏电流 | 栅极漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。 |
| gate to source leakage current, reverse | |||
| on characteristics | |||
| vgs(th) | gate threshold voltage | 开启电压 | （1）在相同id和跨导条件下，vgs(th)越高，mosfet米勒平台也就越高。 |
| （2）其直接反应mosfet的开启电压，mosfet实际工作时栅极驱动电压必须大于平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象。 | |||
| rds(on) | drain to source on state resistance | 导通电阻 | 同一规格的mosefet rds(on)越小越好，其直接决定mosfet的导通损耗，rds(on)决越大，损耗越大，mosfet温升也越高。在较大功率电源中，rds(on)损耗占mosfet整个损耗中较大比例。 |
| rds(on)的变化会引起客户系统板过流保护点的变化。 | |||
| gfs | forward transconductance | 正向跨导 | 其反应的是栅电压对漏源电流控制的能力，gfs过小会导致mosfet关断速度降低，关断能力减弱，gfs过大，会导致关断过快，emi特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。 |
| dynamic characteristics | |||
| ciss | input capacitance | 输入电容=cgs cgd | 该参数影响到mosfet的开关时间，ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度对应的会带来较好的emi特性。 |
| coss | output capacitance | 输入电容=cds cgd | 这两项参数对mosfet开关时间有影响，其中cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到mosfet栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。 |
| crss | reverse transfer capacitance | 反向传输电容=cgd (米勒电容) | |
| td(on) | turn on delay time | 漏源导通延迟时间 | 这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是emi特性差，mosfet关断尖峰过高。 |
| tr | rising time | 漏源电流上升时间 | |
| td(off) | turn off delay time | 漏源关断延迟时间 | |
| tf | fall time | 漏源电流下降时间 | |
| qg | total gate charge | 栅极总充电电量 | |
| qgs | gate-source charge | 栅源充电电量 | |
| qgd | gate-drain charge | 栅漏充电电量 | |
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